優(yōu)恩推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速數(shù)據(jù)接口EOS/ESD靜電保護(hù)器件：
深回掃（Deep Snap Back）工藝，有效降低TVS管VC殘壓值。
采用CSP封裝技術(shù)，大幅降低了TVS管電容值。
小體積：DFN0603、DFN1006封裝。
在當(dāng)今高度集成化、小型化和智能化的電子產(chǎn)品市場(chǎng)中，EOS/ESD靜電放電防護(hù)已成為確保產(chǎn)品穩(wěn)定性和
可靠性的關(guān)鍵因素。隨著USB 3.0/3.1、HDMI 2.0/2.1等高速數(shù)據(jù)接口的廣泛應(yīng)用，EOS/ESD現(xiàn)象對(duì)電子產(chǎn)品的威脅日益加劇。
由于高速信號(hào)傳輸端口，信號(hào)的傳輸速率極高，對(duì)保護(hù)器件的寄生電容要求非常嚴(yán)格，低寄生電容的ESD保
護(hù)器件能夠減少對(duì)信號(hào)傳輸?shù)母蓴_，保證信號(hào)的完整性和傳輸效率，同時(shí)在高速信號(hào)傳輸中，低VC是保護(hù)器件選擇的關(guān)鍵因素
之一。VC越低保護(hù)效果越好，從而更有效地保護(hù)后級(jí)芯片不受損害。
為此，優(yōu)恩半導(dǎo)體采用深回掃（Deep Snap Back）工藝結(jié)合CSP封裝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出保護(hù)效果極佳的高速信號(hào)
ESD靜電保護(hù)器件，
1、回掃后平臺(tái)電壓可控制到2V左右，超低的鉗位電壓對(duì)同等強(qiáng)度的ESD靜電放電及EOS干擾，比常規(guī)ESD保護(hù)器
件具有更好的保護(hù)效果。
殘壓測(cè)試波形圖
2、具有極小的寄生電容0.08PF，能夠有效的避免對(duì)高速信號(hào)的干擾，支持更高的通信速率。
電容實(shí)測(cè)圖
此產(chǎn)品適用于USB 3.0/3.1/3.2、HDMI 2.0/2.1、Serial ATA、高清數(shù)字視頻接口等高速數(shù)據(jù)傳輸接口。
1、器件規(guī)格表
2、應(yīng)用推薦
USB 3.0/3.1/3.2
HDMI 2.0/2.1
Serial ATA
LVDS
DP
3、關(guān)鍵數(shù)據(jù)展示
優(yōu)恩半導(dǎo)體一直致力于EMC防護(hù)器件的研發(fā)及技術(shù)創(chuàng)新，為客戶提供更好更優(yōu)的器件及保護(hù)解決方案是我們前進(jìn)
的動(dòng)力。我們的產(chǎn)品已經(jīng)在消費(fèi)類電子、通信、汽車電子、工業(yè)控制等眾多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。
若需咨詢產(chǎn)品技術(shù)的詳細(xì)信息，并獲得銷售或技術(shù)支持，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)我們。
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